|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响

势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响

朱嘉麟 唐道华 顾秉林 熊家炯

半导体学报Issue(8)：565,1.
✕
半导体学报Issue(8)：565,1.

势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响

朱嘉麟 1唐道华 1顾秉林 1熊家炯1

作者信息

  • 折叠

摘要

关键词

量子阱/激子/GaAs/GaA／As

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

朱嘉麟,唐道华,顾秉林,熊家炯..势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响[J].半导体学报,1989,(8):565,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

访问量2
|
下载量0
段落导航相关论文