半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：565-567,3.
4H-SiC MESFET器件工艺
4H-SiC MESFET Device Process
陈刚 1柏松 1张涛 1汪浩 1李哲洋 1蒋幼泉1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016
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摘要
关键词
4H-SiC/金属半导体场效应管/微波/宽禁带半导体分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉..4H-SiC MESFET器件工艺[J].半导体学报,2007,28(z1):565-567,3.
