半导体学报2004，Vol.25Issue(5)：568-572,5.
薄栅氧高压CMOS器件研制
Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS
刘奎伟 1韩郑生 1钱鹤 2陈则瑞 1于洋 2仙文岭 3饶竞时3
作者信息
- 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
- 2. 北京首科微电子工业研发中心有限公司,北京,100029
- 3. 首钢日电电子有限公司,北京,100041
- 折叠
摘要
关键词
0.5μm/高压CMOS/高低压兼容/CMOS工艺/驱动电路分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,仙文岭,饶竞时..薄栅氧高压CMOS器件研制[J].半导体学报,2004,25(5):568-572,5.
