半导体学报Issue(7)：569-572,4.
离子注入对分子束外延Hg0.68Cd0.32Te远红外振动模的影响
姬荣斌 1李标 1方维政 2王善力 2杨建荣 2何力2
作者信息
- 1. 中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心
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摘要
关键词
红外探测器/碲镉汞/分子束外延生长/离子注入分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姬荣斌,李标,方维政,王善力,杨建荣,何力..离子注入对分子束外延Hg0.68Cd0.32Te远红外振动模的影响[J].半导体学报,1999,(7):569-572,4.
