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金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

许晟瑞 郝跃 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维

物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5705-5708,4.
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物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5705-5708,4.

金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

The triangular pits eliminate of(11-20)a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition

许晟瑞 1郝跃 1张进城 1李志明 1周小伟 1许志豪 1赵广才 1朱庆伟 1张金凤 1毛维1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

GaN/原子力显微镜/高分辨X射线衍射仪/非极性

分类

数理科学

引用本文复制引用

许晟瑞,郝跃,张进城,李志明,周小伟,许志豪,赵广才,朱庆伟,张金凤,毛维..金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究[J].物理学报,2009,58(8):5705-5708,4.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)和国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002)资助的课题. （批准号:60736033）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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