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6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性

刘金锋 刘忠良 任鹏 徐彭寿 陈秀芳 徐现刚

物理化学学报2008，Vol.24Issue(4)：571-575,5.
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物理化学学报2008，Vol.24Issue(4)：571-575,5.

6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性

Fabrication and Luminescent Properties of 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC Quantum Well Structure

刘金锋 1刘忠良 2任鹏 1徐彭寿 1陈秀芳 1徐现刚3

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
  • 2. 中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳,621900
  • 3. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
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摘要

关键词

量子阱/碳化硅/固源分子束外延/反射高能电子衍射/光致发光

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘金锋,刘忠良,任鹏,徐彭寿,陈秀芳,徐现刚..6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性[J].物理化学学报,2008,24(4):571-575,5.

基金项目

国家自然科学基金(50572100)资助项目 （50572100）

物理化学学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-6818

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