半导体学报2007，Vol.28Issue(4)：573-575,3.
InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As RTD的研制
Research on InP-Based AlAs/In0.53Ga0.47As RTD
高金环 1杨瑞霞 2武一宾 1刘岳巍 3商耀辉 1杨克武1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
- 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130
- 3. 石家庄铁道学院电气分院,石家庄,050051
- 折叠
摘要
关键词
共振隧穿二极管/分子束外延/台面结构/InP衬底/峰-谷电流比分类
电子信息工程引用本文复制引用
高金环,杨瑞霞,武一宾,刘岳巍,商耀辉,杨克武..InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As RTD的研制[J].半导体学报,2007,28(4):573-575,3.
