物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5736-5743,8.
Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响
Photoluminescence of as-grown and annealed ZnO films on Ti-buffered Si(111)substrates
摘要
关键词
ZnO薄膜/缓冲层/退火处理/应力分析分类
数理科学引用本文复制引用
魏玮,刘明,曲盛薇,张庆瑜..Ti缓冲层及退火处理对Si(111)基片上生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响[J].物理学报,2009,58(8):5736-5743,8.基金项目
国家自然科学基金(批准号:10605009,10774018)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB616902)资助的课题. （批准号:10605009,10774018）
