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LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析

徐杰 张文俊 张锐

电测与仪表2008，Vol.45Issue(4)：57-60,4.
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电测与仪表2008，Vol.45Issue(4)：57-60,4.

LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析

The simulation and analysis of hot carrier effect in LDD MOS

徐杰 1张文俊 2张锐1

作者信息

  • 1. 黑龙江科技学院,电气与信息工程学院,哈尔滨,150021
  • 2. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

场效应管/热载流子效应/LDD MOS

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐杰,张文俊,张锐..LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析[J].电测与仪表,2008,45(4):57-60,4.

基金项目

国家自然基金资助项目(60772019) （60772019）

电测与仪表

OA北大核心

1001-1390

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