物理学报2008，Vol.57Issue(1)：576-580,5.
有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究
Fabrication of high voltage thyristor based on silicon organic compounds and metal oxides type isolation protective material
摘要
关键词
绝缘保护材料/性能/晶闸管/机理分类
数理科学引用本文复制引用
刘秀喜,王公堂..有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究[J].物理学报,2008,57(1):576-580,5.基金项目
山东省自然科学基金(批准号:Y2003A01)资助的课题. （批准号:Y2003A01）
