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台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

刘兴昉 孙国胜 李晋闽 赵永梅 宁瑾 王雷 赵万顺 罗木昌 李家业 曾一平

半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):579-582,4.
半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):579-582,4.

台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

Effect of Mesa Structures on the Responsivities of 4H-SiC Photodetectors

刘兴昉 1孙国胜 2李晋闽 1赵永梅 1宁瑾 1王雷 2赵万顺 1罗木昌 1李家业 1曾一平1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
  • 2. 中国科学院传感技术国家重点实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/紫外探测器/台面结构/光窗口

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

刘兴昉,孙国胜,李晋闽,赵永梅,宁瑾,王雷,赵万顺,罗木昌,李家业,曾一平..台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响[J].半导体学报,2007,28(z1):579-582,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049)和国家自然科学基金(批准号:0713170000,60406010)资助项目 (批准号:2006CB6049)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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