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半导体学报
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nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
彭英才
刘明
余明斌
李月霞
奚中和
何宇亮
半导体学报
Issue(8)：583,1.
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半导体学报
Issue(8)
：583,1.
nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
彭英才
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余明斌
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李月霞
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彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,何宇亮..nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J].半导体学报,1998,(8):583,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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