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指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析

邹继军 常本康 杨智 张益军 乔建良

物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5842-5846,5.
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物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5842-5846,5.

指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析

Resolution characteristic of exponential-doping GaAs photocathodes

邹继军 1常本康 2杨智 2张益军 2乔建良2

作者信息

  • 1. 东华理工大学电子工程系,抚州,344000
  • 2. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094
  • 折叠

摘要

关键词

指数掺杂/内建电场/分辨力/调制传递函数

分类

数理科学

引用本文复制引用

邹继军,常本康,杨智,张益军,乔建良..指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析[J].物理学报,2009,58(8):5842-5846,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60801036,60678043)、江西省自然科学基金(批准号:2007GQS0412)和江西省教育厅科技计划(批准号:GJJ08298)资助的课题. （批准号:60801036,60678043）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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