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掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

符秀丽 唐为华 彭志坚

物理学报2008，Vol.57Issue(9)：5844-5852,9.
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物理学报2008，Vol.57Issue(9)：5844-5852,9.

掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

Influence of doping level on electrical properties of ZnO-based composite varistor

符秀丽 1唐为华 2彭志坚3

作者信息

  • 1. 北京邮电大学理学院,北京,100876
  • 2. 浙江理上大学光电材料与器件中心,杭州,310018
  • 3. 中国地质大学(北京)工程技术学院,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

氧化锌/掺杂/复合陶瓷变阻器/电学性质

分类

数理科学

引用本文复制引用

符秀丽,唐为华,彭志坚..掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响[J].物理学报,2008,57(9):5844-5852,9.

基金项目

北京邮电大学理学院新教师科研基金资助的课题. （）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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