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负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

乔建良 田思 常本康 杜晓晴 高频

物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5847-5851,5.
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物理学报2009，Vol.58Issue(8)：5847-5851,5.

负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究

Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode

乔建良 1田思 2常本康 1杜晓晴 2高频1

作者信息

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京,210094
  • 2. 南阳理工学院电子与电气工程系,南阳,473004
  • 折叠

摘要

关键词

负电子亲和势/GaN/激活/光电流

分类

数理科学

引用本文复制引用

乔建良,田思,常本康,杜晓晴,高频..负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究[J].物理学报,2009,58(8):5847-5851,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60871012,60701013)资助的课题. （批准号:60871012,60701013）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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