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多孔硅锗的制备及其近红外发光增强

吴克跃 黄伟其 许丽

发光学报2007，Vol.28Issue(4)：585-588,4.
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发光学报2007，Vol.28Issue(4)：585-588,4.

多孔硅锗的制备及其近红外发光增强

Preparation of Porous SiGe and Emission Enhancement in Near-infrared Area

吴克跃 1黄伟其 1许丽1

作者信息

  • 1. 贵州大学理学院,物理系,光电子技术与应用重点实验室,贵州,贵阳,550025
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摘要

关键词

多孔硅锗/低维纳米结构/PL增强/界面态

分类

数理科学

引用本文复制引用

吴克跃,黄伟其,许丽..多孔硅锗的制备及其近红外发光增强[J].发光学报,2007,28(4):585-588,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(10547006) （10547006）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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