电子器件2004，Vol.27Issue(4)：585-588,4.
阶越反向恢复法测量PIN二极管少子寿命
Step Reverse Recovery Used for Measurement of Minority-Carrier Lifetime in PIN Diodes
崔国庆 1黄庆安 2王建华1
作者信息
- 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096
- 2. 合肥工业大学理学院,合肥,230009
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摘要
关键词
少子寿命/PIN二极管/连续性方程分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
崔国庆,黄庆安,王建华..阶越反向恢复法测量PIN二极管少子寿命[J].电子器件,2004,27(4):585-588,4.
