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脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

许丽 黄伟其 吴克跃 金峰 王海旭

强激光与粒子束2008,Vol.20Issue(1):58-61,4.
强激光与粒子束2008,Vol.20Issue(1):58-61,4.

脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

Hole-net structure and photoluminescence emission monocrystalline on silicon irradiated by laser

许丽 1黄伟其 1吴克跃 2金峰 1王海旭1

作者信息

  • 1. 贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025
  • 2. 贵州教育学院,物理系,贵阳,550003
  • 折叠

摘要

关键词

激光辐照/纳米网孔壁/光致荧光增强/氧化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

许丽,黄伟其,吴克跃,金峰,王海旭..脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性[J].强激光与粒子束,2008,20(1):58-61,4.

基金项目

国家自然科学基金资助课题(10547006) (10547006)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-4322

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