高技术通讯2005，Vol.15Issue(5)：58-61,4.
硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制
Growth and device characteristic of InGaN MQW LED on Si substrate
摘要
关键词
Si衬底/MOCVD/GaN/LED/多量子阱分类
通用工业技术引用本文复制引用
莫春兰,方文卿,刘和初,周毛兴,江风益..硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制[J].高技术通讯,2005,15(5):58-61,4.基金项目
863计划(2003AA302160)、电子信息产业发展基金资助项目. （2003AA302160）
