| 注册
首页|期刊导航|原子能科学技术|加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响

加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响

任丁 张瑞谦 黄宁康 曾俊辉 杜良 张东

原子能科学技术2007,Vol.41Issue(5):586-590,5.
原子能科学技术2007,Vol.41Issue(5):586-590,5.

加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响

Effect of Eliminating Argon by Heat-Treatment on Hydrogen Resistance of C-SiC Films Deposited by Ion Beam Mixing

任丁 1张瑞谦 1黄宁康 1曾俊辉 2杜良 2张东2

作者信息

  • 1. 四川大学,原子核科学技术研究所,教育部辐射物理和技术重点实验室,四川,成都,610064
  • 2. 中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900
  • 折叠

摘要

关键词

C-SiC涂层/离子束混合沉积/阻氢/扫描电镜/二次离子质谱

分类

能源科技

引用本文复制引用

任丁,张瑞谦,黄宁康,曾俊辉,杜良,张东..加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C-SiC涂层阻氢性能的影响[J].原子能科学技术,2007,41(5):586-590,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(59781002) (59781002)

中国工程物理研究院基金资助项目 ()

四川大学协作项目 ()

原子能科学技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-6931

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文