物理学报2005，Vol.54Issue(12)：5867-5871,5.
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
Generation mechanism of stress induced leakage current in flash memory cell
摘要
关键词
闪速存储器/应力诱生漏电流/电容耦合效应/可靠性分类
数理科学引用本文复制引用
刘红侠,郑雪峰,郝跃..闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理[J].物理学报,2005,54(12):5867-5871,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60206006)、国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070)和教育部重点科技研究计划(批准号:104172)资助的课题. （批准号:60206006）
