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ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究

张威 李梦轲 魏强 曹璐 杨志 乔双双

物理学报2008，Vol.57Issue(9)：5887-5892,6.
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物理学报2008，Vol.57Issue(9)：5887-5892,6.

ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究

Fabrication and I-V Characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors

张威 1李梦轲 1魏强 1曹璐 1杨志 2乔双双3

作者信息

  • 1. 辽宁师范大学物理与电子技术学院,大连,116029
  • 2. 兰州大学化学系,兰州,730000
  • 3. 大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO纳米线/场效应管/I-V特性

分类

数理科学

引用本文复制引用

张威,李梦轲,魏强,曹璐,杨志,乔双双..ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究[J].物理学报,2008,57(9):5887-5892,6.

基金项目

辽宁省教育厅创新团队项目(批准号:2007T088)和辽宁省自然科学基金(批准号:20072155)资助的课题. （批准号:2007T088）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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