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InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

刘祥林 董逊 黎大兵

液晶与显示2004，Vol.19Issue(1)：5-9,5.
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液晶与显示2004，Vol.19Issue(1)：5-9,5.

InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

Optical Properties and Low-dimensional Structures of InGaAlN Alloy

刘祥林 1董逊 1黎大兵1

作者信息

  • 1. 中国科学院,半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

InGaAlN/生长/光学性质/低维结构/铟聚集

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘祥林,董逊,黎大兵..InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构[J].液晶与显示,2004,19(1):5-9,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No. 60136020) （No. 60136020）

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

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