化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列OA北大核心CSCDCSTPCD
Growth of well-aligned carbon nanotubes arrays by chemical vapor deposition
以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,采用一种无模板的化学气相沉积法,使用单温炉设备,成功地制备了高度定向的碳纳米管阵列.分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和电子能量散射谱、拉曼光谱对碳纳米管阵列进行形貌观察和表征,并研究了不同工艺参数对碳纳米管阵列形貌的影响.结果表明:在生长温度为800℃,催化剂浓度为0.02 g/mL,抛光硅片上容易获得高质量的定向碳纳米管阵列,在此优化条件下生长的定向碳纳米管的平均生长速率可达25 μm/min.
韩道丽;赵元黎;赵海波;宋天福;梁二军
郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
数理科学
碳纳米管定向化学气相沉积
《物理学报》 2007 (10)
5958-5964,7
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