| 注册
首页|期刊导航|华中科技大学学报(自然科学版)|基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路

基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路

陈晓飞 邹雪城

华中科技大学学报(自然科学版)2006,Vol.34Issue(5):59-61,3.
华中科技大学学报(自然科学版)2006,Vol.34Issue(5):59-61,3.

基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路

Low-dropout linear regulator based on BiCMOS

陈晓飞 1邹雪城1

作者信息

  • 1. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
  • 折叠

摘要

关键词

LDO稳压电路/BiCMOS高压工艺/温度系数/线性调整率/负载调整率/电源抑制比

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈晓飞,邹雪城..基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路[J].华中科技大学学报(自然科学版),2006,34(5):59-61,3.

华中科技大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1671-4512

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文