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射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响

程宇航 吴一平 许德胜 陈建国 乔学亮 谢长生

电工技术学报1999,Vol.14Issue(5):59-62,4.
电工技术学报1999,Vol.14Issue(5):59-62,4.

射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响

Effect of R.F. Discharhe Parameters on the Substrate Bias

程宇航 1吴一平 1许德胜 1陈建国 1乔学亮 1谢长生1

作者信息

  • 1. 华中理工大学材料学院,430074
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摘要

关键词

射频辉光放电/极板自负偏压/工艺参数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

程宇航,吴一平,许德胜,陈建国,乔学亮,谢长生..射频辉光放电过程中工艺参数对极板自负偏压的影响[J].电工技术学报,1999,14(5):59-62,4.

基金项目

华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室联合资助项目. ()

电工技术学报

OA北大核心CSCD

1000-6753

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