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AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

郑泽伟 沈波 桂永胜 仇志军 唐宁 蒋春萍 张荣 施毅 郑有炓 郭少令 褚君浩

物理学报2004，Vol.53Issue(2)：596-600,5.
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物理学报2004，Vol.53Issue(2)：596-600,5.

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

Study on the subband properties of Alx Ga1-x N/GaN modulation-doped heterostructures

郑泽伟 1沈波 2桂永胜 2仇志军 3唐宁 3蒋春萍 2张荣 3施毅 2郑有炓 2郭少令 2褚君浩3

作者信息

  • 1. 解放军理工大学理学院,南京,211101
  • 2. 南京大学物理系,南京,210093
  • 3. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN异质结/二维电子气/子带占据/输运迁移率

分类

数理科学

引用本文复制引用

郑泽伟,沈波,桂永胜,仇志军,唐宁,蒋春萍,张荣,施毅,郑有炓,郭少令,褚君浩..AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究[J].物理学报,2004,53(2):596-600,5.

基金项目

国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683),国家自然科学基金(批准号:60136020和60290080)和国家高科技研究发展计划项目(批准号:2002AA305304)资助的课题. （批准号:G20000683）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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