人工晶体学报2009，Vol.38Issue(3)：597-601,5.
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器
Mg Doped p-Cladding AlInP Layer with Window-strucure High Power 660 nm(3.7 W) AlGaInP Broad Area Laser Diodes
马德营 1李佩旭 1夏伟 2李树强 3汤庆敏 2张新 3任忠祥 3徐现刚3
作者信息
- 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
- 2. 山东大学信息科学与工程学院,济南,250100
- 3. 山东华光光电子有限公司,济南,250101
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摘要
关键词
窗口结构/Zn扩散/热阻/AlGaInP/半导体激光器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
马德营,李佩旭,夏伟,李树强,汤庆敏,张新,任忠祥,徐现刚..Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器[J].人工晶体学报,2009,38(3):597-601,5.
