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宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

柯导明 童勤义

电子学报Issue(2)：6,1.
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电子学报Issue(2)：6,1.

宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

柯导明 1童勤义1

作者信息

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摘要

关键词

MOSFET/硅集成电路/场效应晶体管

分类

信息技术与安全科学

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柯导明,童勤义..宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性[J].电子学报,1993,(2):6,1.

电子学报

OA北大核心CSCD

0372-2112

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