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气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-Ⅴ族化合物材料

袁瑞霞阎春辉国红熙李晓兵朱世荣曾一平李灵霄孔梅影

半导体学报Issue(1)：6,1.

袁瑞霞 ¹阎春辉 ¹国红熙 ¹李晓兵 ¹朱世荣 ¹曾一平 ¹李灵霄 ¹孔梅影¹

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袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影..气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-Ⅴ族化合物材料[J].半导体学报,1996,(1):6,1.

OA北大核心CSCD

ISSN：1674-4926

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