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AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

周忠堂 郭丽伟 邢志刚 丁国建 谭长林 吕力 刘建 刘新宇 贾海强 陈弘 周均铭

物理学报2007,Vol.56Issue(10):6013-6018,6.
物理学报2007,Vol.56Issue(10):6013-6018,6.

AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

The transport property of two dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN structure

周忠堂 1郭丽伟 1邢志刚 1丁国建 1谭长林 1吕力 1刘建 2刘新宇 2贾海强 1陈弘 1周均铭1

作者信息

  • 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京,100080
  • 2. 中国科学院微电子研究所化合物半导体器件实验室,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/AlN/GaN结构/二维电子气/Shubnikov-de Haas振荡/高电子迁移率晶体管

分类

数理科学

引用本文复制引用

周忠堂,郭丽伟,邢志刚,丁国建,谭长林,吕力,刘建,刘新宇,贾海强,陈弘,周均铭..AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性[J].物理学报,2007,56(10):6013-6018,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10474126,10574148)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2002CB311900)资助的课题. (批准号:10474126,10574148)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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