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MOCVD生长的InGaN合金的发光特性

竹有章 陈光德 谢伦军 唐远河 邱复生

发光学报2005，Vol.26Issue(5)：602-606,5.
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发光学报2005，Vol.26Issue(5)：602-606,5.

MOCVD生长的InGaN合金的发光特性

Optical Properties of InGaN Film Grown by MOCVD

竹有章 1陈光德 2谢伦军 1唐远河 1邱复生1

作者信息

  • 1. 西安交通大学理学院,应用物理系,陕西,西安,710049
  • 2. 第二炮兵工程学院,物理教研室,陕西,西安,710025
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摘要

关键词

InGaN/光致发光/F-P腔/受激辐射/折射率

分类

数理科学

引用本文复制引用

竹有章,陈光德,谢伦军,唐远河,邱复生..MOCVD生长的InGaN合金的发光特性[J].发光学报,2005,26(5):602-606,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(10474078) （10474078）

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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