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ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理

苏建修 郭东明 康仁科 金洙吉 李秀娟

半导体学报2005,Vol.26Issue(3):606-612,7.
半导体学报2005,Vol.26Issue(3):606-612,7.

ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理

Kinematic Mechanism of Chemical Mechanical Polishing in ULSI Manufacturing

苏建修 1郭东明 2康仁科 1金洙吉 1李秀娟1

作者信息

  • 1. 精密与特种加工教育部重点实验室,大连理工大学,大连,116024
  • 2. 河南科技学院,新乡,453003
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光/材料去除机理/材料去除率/非均匀性/磨粒

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

苏建修,郭东明,康仁科,金洙吉,李秀娟..ULSI制造中硅片化学机械抛光的运动机理[J].半导体学报,2005,26(3):606-612,7.

基金项目

国家自然科学基金重大项目资助(批准号:50390061) (批准号:50390061)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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