物理学报2006，Vol.55Issue(11)：6090-6094,5.
纳米MOSFET迁移率解析模型
An analytical model of mobility in nano-scaled n- MOSFETs
摘要
关键词
玻尔兹曼方程/纳米MOSFET/迁移率/沟道有效电场分类
数理科学引用本文复制引用
代月花,陈军宁,柯导明,孙家讹,胡媛..纳米MOSFET迁移率解析模型[J].物理学报,2006,55(11):6090-6094,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60276042)资助的课题. （批准号:60276042）
