半导体学报2002，Vol.23Issue(6)：609-613,5.
用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜
A Low-Loss Interlayer--Thick Layers of Porous Silicon and Oxidized Porous Silicon for Application to the Microwave/RF-IC
摘要
关键词
微波/射频/多孔硅/氧化多孔硅/介质膜/损耗分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
龙永福,朱自强,赖宗声,忻佩胜,石艳玲..用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜[J].半导体学报,2002,23(6):609-613,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:69876012),国家杰出青年基金(批准号:69925409),国家重点基础研究规划(973)(批准号:G1999033105)及上海市科技发展基金资助项目 （批准号:69876012）
