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带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究

侯利娜姚淑德周生强赵强王坤丁志博王建峰

原子能科学技术2006，Vol.40Issue(5)：614-619,6.

Structure and Strain Studies of GaN Epilayer With LT-AlN Interlayer

侯利娜 ¹姚淑德 ¹周生强 ²赵强 ²王坤 ¹丁志博 ¹王建峰³

作者信息

1. 北京大学,物理学院,技术物理系,北京,100871
2. Instituut Voor Kern-en Stralingsfysica, Katholieke Universiteit Leuven, B-3001 Leuven, Belgium
3. 中国科学院,半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083
折叠

GaN/高分辨X射线衍射/背散射/沟道

数理科学

侯利娜,姚淑德,周生强,赵强,王坤,丁志博,王建峰..带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究[J].原子能科学技术,2006,40(5):614-619,6.

国家自然科学基金资助项目(10375004) （10375004）

中-比双边科技合作资助项目(BIL02/02) （BIL02/02）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-6931

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