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同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

王长顺 潘煦 Urisu Tsuneo

物理学报2006，Vol.55Issue(11)：6163-6167,5.
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物理学报2006，Vol.55Issue(11)：6163-6167,5.

同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

Synchrotron radiation stimulated etching of SiO2 thin films

王长顺 1潘煦 1Urisu Tsuneo2

作者信息

  • 1. 上海交通大学物理系,上海,200240
  • 2. Institute for Molecular Science,Okazaki,444-8585,Japan
  • 折叠

摘要

关键词

同步辐射刻蚀/接触型钴掩模/二氧化硅薄膜

分类

数理科学

引用本文复制引用

王长顺,潘煦,Urisu Tsuneo..同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究[J].物理学报,2006,55(11):6163-6167,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60177003,10675083)及上海应用材料研究和发展基金(批准号:0416)资助的课题. （批准号:60177003,10675083）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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