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磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

柴春林 杨少延 刘志凯 陈诺夫

半导体学报2005,Vol.26Issue(z1):61-64,4.
半导体学报2005,Vol.26Issue(z1):61-64,4.

磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质

Investigation of PL of CeO2/Si Thin Film Fabricated Using Magetron Control Sputtering System

柴春林 1杨少延 1刘志凯 1陈诺夫1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

磁控溅射/CeO2薄膜/发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

柴春林,杨少延,刘志凯,陈诺夫..磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质[J].半导体学报,2005,26(z1):61-64,4.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036505)和国家自然科学基金(批准号:60206007)资助项目 (批准号:G2000036505)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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