|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|西安电子科技大学学报（自然科学版）|MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法

MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法

花永鲜 庄奕琪 杜磊

西安电子科技大学学报（自然科学版）2001，Vol.28Issue(5)：621-624,4.
✕
西安电子科技大学学报（自然科学版）2001，Vol.28Issue(5)：621-624,4.

MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法

Application of 1/f noise in monitoring electrostatic latent damage in MOS devices

花永鲜 1庄奕琪 1杜磊1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所
  • 折叠

摘要

关键词

静电/1/f噪声/MOS器件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

花永鲜,庄奕琪,杜磊..MOS器件静电潜在损伤的1/f噪声监测方法[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2001,28(5):621-624,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目 （）

西安电子科技大学学报（自然科学版）

OA北大核心CSCD

1001-2400

访问量3
|
下载量0
段落导航相关论文