半导体学报2003，Vol.24Issue(6)：622-625,4.
在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管
Fabrication of Schottky Barrier Diodes of High Frequency Based on Thin Silicon Epilayer
张海燕 1叶志镇 1黄靖云 1李蓓 1谢靓红 1赵炳辉1
作者信息
- 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
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摘要
关键词
肖特基势垒/二极管/硅外延层/截止频率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张海燕,叶志镇,黄靖云,李蓓,谢靓红,赵炳辉..在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管[J].半导体学报,2003,24(6):622-625,4.
