真空电子技术Issue(5)：63-65,3.
三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响
The Effect of Manufacturing Technology of the Third Generation Low-Light-Level Image Intensifier on the Cathode Photoemission Performances
徐江涛1
作者信息
- 1. 西安应用光学研究所,陕西,西安,710100
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摘要
关键词
微光增强器/阴极光电发射/激活灵敏度/GaAs/在线检测分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐江涛..三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响[J].真空电子技术,2004,(5):63-65,3.
