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压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

温淑敏 班士良

半导体学报2006,Vol.27Issue(1):63-67,5.
半导体学报2006,Vol.27Issue(1):63-67,5.

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

Screening Influence on Binding Energies of Donors in Quantum Wells with Finite Barriers Under Hydrostatic Pressure

温淑敏 1班士良2

作者信息

  • 1. 内蒙古大学理工学院物理系,呼和浩特,010021
  • 2. 集宁师范高等专科学校,乌兰察布,012000
  • 折叠

摘要

关键词

量子阱/屏蔽/压力/杂质态/结合能

分类

数理科学

引用本文复制引用

温淑敏,班士良..压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响[J].半导体学报,2006,27(1):63-67,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60566102)及内蒙古自治区优秀学科带头人计划资助项目 (批准号:60566102)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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