物理学报2002，Vol.51Issue(3)：645-648,4.
GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算
Ab initio calculation of the electronic structure of carbon and oxygen impurities in GaN
摘要
关键词
GaN/杂质能级/电子结构分类
数理科学引用本文复制引用
沈耀文,康俊勇..GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算[J].物理学报,2002,51(3):645-648,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:69976023)资助的课题. （批准号:69976023）
