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MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
周宏伟
董建荣
王红梅
曾一平
朱占萍
潘量
孔梅影
半导体学报
Issue(9)：646,1.
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半导体学报
Issue(9)
：646,1.
MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
周宏伟
1
董建荣
1
王红梅
2
曾一平
2
朱占萍
2
潘量
2
孔梅影
2
作者信息
1.
中国科学院半导体研究所
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摘要
关键词
MBE技术
/
砷化铟
/
半导体薄膜技术
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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周宏伟,董建荣,王红梅,曾一平,朱占萍,潘量,孔梅影..MBE生长InAs薄膜输运性质的研究[J].半导体学报,1998,(9):646,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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