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标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

郎佳红 顾彪 徐茵 秦福文 曲钢

红外技术2003，Vol.25Issue(6)：64-68,5.
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红外技术2003，Vol.25Issue(6)：64-68,5.

标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

Study of ECR-Plasma Cleaning of Sapphire Substrate Using RHEED

郎佳红 1顾彪 2徐茵 1秦福文 2曲钢1

作者信息

  • 1. 大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024
  • 2. 大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024
  • 折叠

摘要

关键词

蓝宝石/清洗/氮化/RHEED/GaN

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,曲钢..标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究[J].红外技术,2003,25(6):64-68,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No.69976008) （No.69976008）

红外技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-8891

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