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Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

邢海英范广涵赵德刚何苗章勇周天明

物理学报2008，Vol.57Issue(10)：6513-6519,7.

Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

Electronic structure and optical properties of GaN with Mn-doping

邢海英 ¹范广涵 ¹赵德刚 ²何苗 ¹章勇 ¹周天明¹

作者信息

1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083
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摘要

关键词

Mn掺杂GaN/第一性原理/电子结构/光学性质

分类

化学化工

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邢海英,范广涵,赵德刚,何苗,章勇,周天明..Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究[J].物理学报,2008,57(10):6513-6519,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:50602018),广东省自然科学基金(批准号:06025083),广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001)广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071)和粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A010501008)资助的课题. （批准号:50602018）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-3290

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