液晶与显示2008，Vol.23Issue(6)：651-657,7.
InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计
Optimization Design of Quantum Barrier of InGaN Quantum Well in Blue Light-Emitting Diode
摘要
关键词
发光二极管/A1InGaN/应力补偿/量子阱障碍层/数值模拟分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李为军,张波,徐文兰..InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计[J].液晶与显示,2008,23(6):651-657,7.基金项目
国家自然科学基金(No.10474020) （No.10474020）
上海市基础研究重大项目(No.06dj14008)资助 （No.06dj14008）
