电子学报2000，Vol.28Issue(5)：65-67,3.
一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构
A New CMOS Circuit Structure for Hot-Carrier Resistance
摘要
关键词
MOSFET衬底电流/热载流子效应/BERT肖特基金半接触/新型CMOS电路结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈勇,杨谟华,于奇,王向展,李竟春,谢孟贤..一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构[J].电子学报,2000,28(5):65-67,3.基金项目
国家自然科学基金资助课题 （）
国防预研项目资助课题 （）
