人工晶体学报2008，Vol.37Issue(3)：657-661,665,6.
金属Ta缓冲层上生长微晶Si薄膜的结晶性研究
Study on the Crystalline of Si Films Grown on Ta Buffer Layer
摘要
关键词
硅晶化/溅射功率/Ta缓冲层/晶化率分类
数理科学引用本文复制引用
邓荣斌,王茺,陈寒娴,杨宇..金属Ta缓冲层上生长微晶Si薄膜的结晶性研究[J].人工晶体学报,2008,37(3):657-661,665,6.基金项目
国家自然科学基金(No.60567001) （No.60567001）
