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p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

游达 许金通 汤英文 何政 徐运华 龚海梅

物理学报2006,Vol.55Issue(12):6600-6605,6.
物理学报2006,Vol.55Issue(12):6600-6605,6.

p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

Research of two-dimensional hole gas in p-GaN/Al0.35 Ga0.65N/GaN strained quantum-well

游达 1许金通 1汤英文 1何政 1徐运华 1龚海梅1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
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摘要

关键词

AlGaN/二维空穴气/极化效应

分类

数理科学

引用本文复制引用

游达,许金通,汤英文,何政,徐运华,龚海梅..p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究[J].物理学报,2006,55(12):6600-6605,6.

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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